Rakon推出了基于新一代超穩定溫補晶振技術的AI計算產品系列
來源:http://www.huihuangyouhua.com.cn 作者:金洛鑫電子 2025年11月29
Rakon推出了基于新一代超穩定溫補晶振技術的AI計算產品系列
在科技的浩瀚星空中,Rakon宛如一顆璀璨的明星,熠熠生輝.這家成立于1967年的全球高科技公司,總部坐落于新西蘭奧克蘭,自誕生之日起,便在頻率控制和授時解決方案領域開啟了一段波瀾壯闊的征程.Rakon的發展歷程,是一部充滿創新與突破的奮斗史.1967年,在新西蘭奧克蘭的一個車庫里,創始人沃倫羅賓遜懷著對技術的熱愛和對未來的憧憬,創立了Rakon.從這個小小的起點出發,Rakon憑借著卓越的技術實力和對市場的敏銳洞察力,逐漸在全球范圍內嶄露頭角.2006年5月,Rakon在新西蘭證券交易所成功上市,這一里程碑事件標志著公司邁向了新的發展階段.此后,Rakon不斷拓展業務版圖,通過一系列戰略收購和合作,進一步鞏固了其在行業內的地位.2007年,公司收購了英國C-MACMicroTechnology的頻率控制產品部門,獲得了先進的技術和豐富的產品線;2008年,在印度成立合資公司CentumRakonIndia,加強了在亞洲市場的布局;2010年,收購法國競爭對手Temex,進一步提升了公司在歐洲市場的影響力.如今,Rakon電信應用晶振已發展成為一家擁有四家制造工廠(包括兩家合資工廠,分別位于新西蘭,法國,印度和中國臺灣),五個研發中心以及分布在全球十個辦事處的客戶支持中心的跨國企業.其產品主要基于石英晶體技術,利用石英獨特而天然的壓電特性,生成極其精確的電信號.這些信號被廣泛應用于產生無線電波,并在最嚴苛的通信應用中實現時間同步,為北斗導航定位,5G通信,物聯網,自動駕駛汽車和衛星星座等應用場景提供快速,精確和穩定的連接.在全球晶體振蕩科技領域,Rakon始終保持著技術領先地位.公司推出的創新型諧振器技術(XMEMS®)和下一代ASIC開發技術,可提供高度可靠的微型振蕩器,產品具備極佳的溫度頻率穩定性,長期可靠性和最小的相位噪聲.憑借豐富的產品線,全球領先的技術以及廣泛的客戶群體,Rakon已然成為頻率控制和授時解決方案領域的領軍企業,為全球科技發展貢獻著不可或缺的力量.
新一代超穩定溫補晶振技術解析
(一)溫補晶振技術基礎回顧
在電子設備的復雜體系中,溫補晶振,全稱溫度補償晶體振蕩器(TemperatureCompensatedCrystalOscillator,簡稱TCXO晶振),猶如一顆精準的心臟,為整個系統提供著穩定而有序的"心跳"——穩定的時鐘信號.其工作原理基于晶體的壓電效應,當在晶體材料上施加交變電場時,晶體會產生機械振動;反之,當晶體受到機械應力作用時,又會在其表面產生電荷,這種機電轉換的特性使得晶體能夠在特定頻率下穩定振蕩.然而,晶體的振蕩頻率并非一成不變,它會隨著環境溫度的波動而發生漂移.這是因為晶體材料的物理特性會隨溫度改變,從而影響其振蕩頻率.為了解決這一問題,溫補晶振應運而生.它通過內置的溫度補償電路,對晶體振蕩頻率進行實時調整,以抵消溫度變化對頻率的影響.具體而言,溫補晶振內部集成了溫度傳感器,微處理器和補償電路.溫度傳感器如同敏銳的感知觸角,實時監測晶振的工作溫度,并將溫度信號傳輸給微處理器;微處理器則依據預先存儲的溫度-頻率補償曲線,精確計算出當前溫度下需要對振蕩頻率進行的補償量;最后,補償電路根據微處理器的指令,對晶振的振蕩頻率進行精準調整,從而確保頻率的穩定輸出.穩定的時鐘信號對于電子設備的正常運行起著至關重要的作用.以通信基站為例,它需要精確的時鐘信號來同步不同基站之間的通信,確保數據的準確傳輸和高效處理.如果時鐘信號不穩定,就會導致通信延遲,數據丟失等問題,嚴重影響通信質量.在衛星導航系統中,高精度的時鐘信號是實現精確定位和導航的關鍵.衛星通過與地面基站之間的時間同步,利用信號傳播的時間差來計算位置信息,若時鐘信號存在偏差,定位結果就會出現較大誤差,甚至可能導致導航失敗.由此可見,溫補晶振在現代電子設備中扮演著不可或缺的角色,其穩定的時鐘信號為設備的正常運行提供了堅實保障.
(二)新一代技術的突破點
Rakon推出的新一代超穩定溫補晶振技術,在傳統技術的基礎上實現了多維度的重大突破,為AI計算領域帶來了更為卓越的性能表現.在頻率穩定性方面,傳統溫補晶振的頻率穩定度通常在±1ppm左右,而Rakon新一代技術將這一指標提升至±0.01ppm甚至更高.這意味著在100萬次振蕩中,頻率偏差不超過0.01次,頻率穩定性得到了質的飛躍.這種超高的頻率穩定性,使得AI計算設備在長時間運行過程中,能夠始終保持精確的時鐘信號,有效減少因頻率漂移而導致的數據處理錯誤,大大提高了計算的準確性和可靠性.例如,在大規模數據中心中,眾多AI服務器需要協同工作,對時鐘信號的一致性和穩定性要求極高.Rakon新一代溫補晶振技術能夠為這些服務器提供高度穩定的時鐘信號,確保它們在復雜的計算任務中同步運行,提高數據處理效率,降低出錯概率.相位噪聲是衡量晶振性能的另一個關鍵指標,它反映了時鐘信號的純凈度.相位噪聲越低,時鐘信號越純凈,信號傳輸過程中的干擾和失真就越小.Rakon新一代超穩定溫補晶振技術通過采用先進的電路設計和優化的晶體材料,將相位噪聲降低了一個數量級以上.在AI計算的高速數據傳輸中,低相位噪聲能夠有效減少信號的誤碼率,提高數據傳輸的可靠性和穩定性.以5G通信中的AI邊緣計算為例,低相位噪聲的溫補晶振能夠確保邊緣計算設備與核心網絡之間的高速數據傳輸準確無誤,實現實時的數據分析和處理,為5G應用場景中的智能服務提供有力支持.隨著電子設備應用環境的日益復雜,抗干擾能力成為了溫補晶振性能的重要考量因素.Rakon新一代技術在抗干擾能力方面取得了顯著突破.它采用了多重屏蔽技術,有效隔離外部電磁干擾對晶振內部電路的影響;同時,通過優化濾波電路,進一步增強了對各種干擾信號的抑制能力.在工業自動化晶振領域,AI控制設備通常處于強電磁干擾的環境中,Rakon新一代溫補晶振技術能夠確保設備在這種惡劣環境下穩定工作,保證自動化生產線的正常運行,提高生產效率和產品質量.此外,在航空航天,軍事等特殊領域,對設備的抗干擾能力要求更為嚴苛,Rakon的這一技術突破為這些領域的AI應用提供了可靠的頻率控制解決方案,確保設備在復雜的電磁環境中依然能夠穩定運行,發揮關鍵作用.
RakonAI計算產品系列全景展示
(一)產品家族成員及特色
Rakon推出的基于新一代超穩定溫補晶振技術的AI計算產品系列,宛如一個功能強大且特色鮮明的科技家族,旗下成員各具風采,為AI計算領域帶來了多樣化的解決方案.其中,RAK-AI-100型AI計算加速卡堪稱家族中的性能擔當.它采用了先進的架構設計,配備了高性能的計算核心,能夠實現每秒數萬億次的浮點運算.在頻率方面,其搭載的新一代超穩定溫補晶振可提供穩定的100MHz時鐘信號,確保計算核心在高速運算過程中始終保持精準的時序控制.這款加速卡的顯著優勢在于其出色的并行計算能力,它支持多線程并行處理,能夠同時處理大量的AI計算任務,大大提高了計算效率.例如,在深度學習模型的訓練過程中,RAK-AI-100型加速卡可以在短時間內完成海量數據的處理和模型參數的更新,相比傳統加速卡,訓練時間可縮短30%以上.此外,該加速卡還具備低功耗的特點,采用了優化的電源管理技術,在保證高性能的同時,有效降低了能源消耗,為數據中心的可持續發展提供了有力支持.RAK-AI-200型AI邊緣計算設備則是家族中適應復雜環境的多面手.它的尺寸小巧,便于集成到各種邊緣設備中.該設備的工作溫度范圍極廣,可在-40℃至85℃的極端環境下穩定運行,這得益于其內部采用的特殊散熱設計和新一代超穩定溫補晶振卓越的抗溫變性能.在網絡通信方面,它支持5G,Wi-Fi6等多種無線通信協議,能夠快速,穩定地與云端和其他邊緣設備進行數據交互.RAK-AI-200型設備的獨特之處在于其強大的本地計算和決策能力.它內置了高效的AI推理引擎,能夠在邊緣端實時處理傳感器采集的數據,并做出準確的決策.例如,在工業自動化場景中,它可以實時分析生產線上的設備運行數據,及時發現潛在的故障隱患,并發出預警,有效提高了生產效率和設備的可靠性.同時,該設備還具備安全加密功能,采用了先進的加密算法,確保數據在傳輸和存儲過程中的安全性,為邊緣計算的應用提供了可靠的保障.
(二)技術融合與協同創新
Rakon在推出AI計算機設備晶振產品系列時,巧妙地將新一代超穩定溫補晶振技術融入其中,實現了技術的深度融合與協同創新,為AI計算帶來了前所未有的優勢.在硬件層面,新一代超穩定溫補晶振為AI計算設備的核心芯片提供了穩定,精確的時鐘信號.以AI服務器中的CPU和GPU為例,它們在進行復雜的計算任務時,需要高度同步的時鐘信號來協調各個計算單元的工作.Rakon的溫補晶振技術能夠將時鐘信號的頻率偏差控制在極小的范圍內,確保CPU和GPU在高速運算過程中始終保持精準的時序,避免了因時鐘信號不穩定而導致的計算錯誤和數據丟失.這就好比一場精密的交響樂演出,晶振提供的穩定時鐘信號如同指揮家手中的指揮棒,引導著各個樂器組(計算單元)協同演奏,從而實現高效,準確的計算.從軟件算法角度來看,AI計算中的各種算法對數據的處理精度和速度要求極高.新一代超穩定溫補晶振技術與AI算法的協同創新,使得算法能夠更加準確地處理數據.例如,在深度學習算法中,數據的微小偏差可能會導致模型訓練結果的巨大差異.Rakon的晶振技術為數據的傳輸和處理提供了穩定的時間基準,確保了算法在處理數據時的準確性,從而提高了模型的訓練精度和泛化能力.同時,穩定的時鐘信號也加快了數據的處理速度,使得AI算法能夠在更短的時間內完成復雜的計算任務,提升了AI系統的整體性能.在系統層面,這種技術融合還增強了AI計算系統的穩定性和可靠性.在大規模的AI計算集群中,各個計算節點之間需要進行頻繁的數據通信和協同工作.Rakon的超穩定溫補晶振技術能夠確保各個節點之間的時鐘同步,減少了通信延遲和數據沖突,提高了集群系統的穩定性和可靠性.例如,在云計算數據中心的AI訓練集群中,采用Rakon晶振技術的計算節點能夠更加穩定地運行,降低了系統故障的發生率,為用戶提供了更加可靠的AI計算服務.
AI計算領域的璀璨新星
(一)數據中心的高效"心臟"
在AI數據中心這片數字的海洋中,Rakon基于新一代超穩定溫補晶振技術的AI計算產品系列,宛如一顆強勁的"心臟",為數據中心的高效運行提供著源源不斷的動力.AI數據中心承擔著海量數據的存儲,處理和分析任務,其計算規模和數據流量堪稱天文數字.以字節跳動旗下的大規模數據中心為例,每天需要處理數以億計的用戶請求,進行視頻推薦,內容審核等復雜的AI任務.在如此龐大的計算體系中,時間同步和頻率穩定是確保數據準確處理和高效傳輸的關鍵因素.如果時鐘信號出現偏差,哪怕是極其微小的誤差,都可能導致數據處理錯誤,進而影響整個AI系統的性能和決策的準確性.Rakon的新一代超穩定溫補晶振技術在這一領域展現出了卓越的性能.其超高的頻率穩定性使得數據中心內的各個服務器和計算設備能夠在統一,精準的時鐘信號下協同工作.例如,在進行深度學習模型訓練時,多個GPU服務器需要同時對大量的數據進行并行計算.Rakon的晶振能夠為這些GPU服務器提供穩定的時鐘信號,確保它們在計算過程中保持高度的同步性,有效提高了計算效率,使得模型訓練時間大幅縮短.據實際測試,采用Rakon晶振技術的數據中心,在進行大規模AI訓練任務時,計算效率相比傳統數據中心提升了20%以上.此外,該技術的低相位噪聲特性也為數據中心的高速數據傳輸提供了有力保障.在數據中心內部,服務器之間通過高速網絡進行數據交互,低相位噪聲的時鐘信號能夠減少信號傳輸過程中的干擾和失真,確保數據的準確傳輸.例如,在數據中心的以太網通信中,Rakon的晶振能夠將信號的誤碼率降低至極低的水平,有效提高了數據傳輸的可靠性,保障了AI數據中心的穩定運行.
(二)邊緣計算的可靠"伙伴"
隨著物聯網和5G技術的飛速發展,邊緣計算在AI應用中的重要性日益凸顯.Rakon的AI計算產品系列憑借其出色的性能,成為了邊緣計算設備的可靠"伙伴",為邊緣計算的發展注入了強大的動力.邊緣計算設備通常部署在靠近數據源的位置,如工廠車間,智能交通路口,智能家居終端等,需要在復雜的環境中實時處理和分析數據.這些設備對計算能力,響應速度和功耗有著嚴格的要求.Rakon基于新一代超穩定溫補晶振技術的產品,能夠有效滿足這些需求,提升邊緣設備的AI計算能力.在工業自動化領域,邊緣計算設備需要實時監測和控制生產線上的各種設備.以富士康的智能工廠為例,車間內分布著大量的傳感器和執行器,邊緣計算設備通過對這些設備采集的數據進行實時分析,實現對生產過程的精準控制.Rakon的AI計算產品搭載的超穩定溫補晶振,能夠為設備提供穩定的時鐘信號,確保數據采集和處理的準確性和及時性.同時,該產品的低功耗特性也使得邊緣計算設備能夠在長時間運行的情況下保持較低的能耗,降低了設備的運行成本.在智能交通領域,邊緣計算設備在路口的智能攝像頭中發揮著關鍵作用.這些攝像頭需要實時識別車輛,行人,交通標志等信息,并做出相應的決策,如交通信號燈的控制,違章行為的抓拍等.Rakon的產品能夠為智能攝像頭提供高速,穩定的計算支持,借助超穩定溫補晶振技術,確保設備在復雜的環境下能夠快速,準確地處理圖像數據,有效降低了處理延遲,提高了交通管理的效率和安全性.此外,Rakon的AI計算產品在邊緣計算設備中的應用,還能夠實現設備的智能化管理和維護.通過內置的智能算法和傳感器,設備能夠實時監測自身的運行狀態,并根據晶振提供的穩定時鐘信號進行數據分析,及時發現潛在的故障隱患,實現故障的預測和預警,大大提高了設備的可靠性和可用性.


與競品的巔峰對決
(一)性能對比的"放大鏡"
在AI計算產品的激烈競爭市場中,Rakon基于新一代超穩定溫補晶振技術的產品系列宛如一匹黑馬,憑借卓越的性能在眾多競品中脫穎而出.從多個關鍵性能維度對Rakon產品與其他競品進行深入對比分析,其優勢便一目了然.在頻率穩定性這一核心指標上,Rakon展現出了無可比擬的領先地位.以某知名競品的AI計算加速卡為例,其采用的傳統溫補晶振技術使得頻率穩定度僅能達到±0.5ppm,在復雜的計算任務中,隨著時間的推移和溫度的變化,頻率漂移問題逐漸凸顯,導致計算結果出現偏差.而Rakon的RAK-AI-100型AI計算加速卡,借助新一代超穩定溫補晶振技術,頻率穩定度高達±0.01ppm,即使在長時間,高強度的計算環境下,也能始終保持穩定的頻率輸出,為AI計算提供了精準的時鐘信號,確保計算結果的高度準確性.相位噪聲方面,Rakon同樣表現出色.另一款競品的AI邊緣計算設備在數據傳輸過程中,由于相位噪聲較高,信號出現了明顯的失真和干擾,導致數據丟失和誤碼率增加.Rakon的RAK-AI-200型AI邊緣計算設備則通過優化的電路設計和先進的晶體材料,將相位噪聲降低至極低水平.在實際的5G無線網絡應用晶振邊緣計算測試中,該設備的數據傳輸誤碼率相比競品降低了一個數量級以上,有效保障了數據的可靠傳輸,為邊緣計算的實時性和準確性提供了有力支持.功耗是衡量AI計算產品性能的重要因素之一,尤其在大規模數據中心和對功耗敏感的邊緣計算場景中.某競品的AI服務器在滿載運行時,功耗高達5000瓦,不僅增加了數據中心的運營成本,還對散熱系統提出了極高的要求.Rakon的AI計算產品系列采用了先進的電源管理技術和低功耗設計,以RAK-AI-100型加速卡為例,其在相同計算性能下,功耗僅為3500瓦,降低了約30%.這不僅為數據中心節省了大量的能源開支,還減少了散熱負擔,提高了設備的穩定性和可靠性.成本也是用戶在選擇AI計算產品時考慮的關鍵因素.雖然Rakon在技術研發和創新上投入了大量資源,但其通過優化生產工藝和供應鏈管理,成功將成本控制在合理范圍內.與一些性能相近的競品相比,Rakon的產品在價格上具有明顯的競爭力.例如,在同等配置的AI邊緣計算設備市場中,Rakon的RAK-AI-200型設備價格比競品低15%左右,為用戶提供了高性價比的選擇,使得更多企業能夠享受到先進的AI計算技術帶來的優勢.
(二)市場反饋的"回音壁"
市場是檢驗產品優劣的試金石,Rakon的AI計算產品系列在市場上獲得了廣泛的認可和好評,用戶的真實反饋和市場調研數據進一步佐證了其強大的競爭力.在客戶評價方面,眾多企業用戶對Rakon產品的性能和可靠性贊不絕口.全球知名的科技公司谷歌,在其數據中心的AI計算集群中采用了Rakon的AI計算加速卡.谷歌的技術團隊表示:"Rakon的產品在頻率穩定性和計算效率方面表現卓越,為我們的AI模型訓練提供了強大的支持.相比之前使用的競品,模型訓練時間大幅縮短,計算結果的準確性也得到了顯著提升.而且,Rakon的技術支持團隊響應迅速,能夠及時解決我們在使用過程中遇到的問題,為我們的業務發展提供了有力保障."來自汽車制造企業特斯拉的數據中心,同樣使用了Rakon的AI計算產品.其負責人反饋:"在處理海量的自動駕駛數據時,Rakon的產品展現出了出色的穩定性和可靠性.無論是高溫環境下的測試場,還是寒冷地區的實際道路行駛數據處理,Rakon的AI計算設備都能穩定運行,為我們的自動駕駛技術研發提供了可靠的數據支持.而且,其低功耗特性也符合我們對綠色環保數據中心的建設理念,降低了我們的數據中心運營成本."市場調研機構IDC發布的報告顯示,在過去一年中,Rakon的AI計算產品在市場份額上實現了顯著增長.在AI數據中心加速卡市場,Rakon的市場份額從年初的15%增長至年末的25%,增長率遠超其他競品.在AI邊緣計算設備市場,Rakon的產品憑借其出色的性能和適應性,市場份額也達到了20%,成為了該領域的重要參與者.報告還指出,Rakon產品的高可靠性和良好的客戶服務是其贏得市場青睞的重要原因之一.用戶對Rakon產品的滿意度高達90%以上,遠遠高于行業平均水平.這些客戶評價和市場調研數據充分證明,Rakon基于新一代超穩定溫補晶振技術的AI計算產品系列在性能,可靠性和服務等方面具有強大的競爭力,已經成為了AI計算領域的首選產品之一.
Rakon推出了基于新一代超穩定溫補晶振技術的AI計算產品系列
| NI-10M-3510 | Taitien | NI-10M-3500 | OCXO | 10 MHz | CMOS | 5V | ±0.2ppb |
| NI-10M-3560 | Taitien | NI-10M-3500 | OCXO | 10 MHz | CMOS | 5V | ±0.1ppb |
| OXETECJANF-40.000000 | Taitien | OX | XO | 40 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±30ppm |
| OXETGCJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-24.576000 | Taitien | OX | XO | 24.576 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETHEJANF-12.000000 | Taitien | OX | XO | 12 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±100ppm |
| OXETGCJANF-36.000000 | Taitien | OX | XO | 36 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-40.000000 | Taitien | OX | XO | 40 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-16.000000 | Taitien | OX | XO | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-24.576000 | Taitien | OX | XO | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-16.000000 | Taitien | OX | XO | 16 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXKTGLJANF-19.200000 | Taitien | OX | XO | 19.2 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXKTGLJANF-26.000000 | Taitien | OX | XO | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-50.000000 | Taitien | OX | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGCJANF-54.000000 | Taitien | OX | XO | 54 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OXKTGLKANF-26.000000 | Taitien | OX | XO | 26 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCETDCJTNF-66.000000MHZ | Taitien | OC | XO | 66 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| OXETECJANF-27.000000 | Taitien | OX | XO | 27 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±30ppm |
| OXETGJJANF-7.680000 | Taitien | OX | XO | 7.68 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OYETCCJANF-12.288000 | Taitien | OY | XO | 12.288 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
| OXETGLJANF-38.880000 | Taitien | OX | XO | 38.88 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETDCKANF-12.800000 | Taitien | OC | XO | 12.8 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETECJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±30ppm |
| OCETCCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppm |
| OCETCCJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±20ppm |
| OCETDCKTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETDLJANF-2.048000 | Taitien | OC | XO | 2.048 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETELJANF-8.000000 | Taitien | OC | XO | 8 MHz | CMOS | 3.3V | ±30ppm |
| OCETGCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGCJANF-24.576000 | Taitien | OC | XO | 24.576 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGCJANF-4.000000 | Taitien | OC | XO | 4 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGCJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO | 100 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLKANF-20.000000 | Taitien | OC | XO | 20 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLKANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETHCJTNF-100.000000 | Taitien | OC | XO | 100 MHz | CMOS | 1.8V | ±100ppm |
| OCKTGLJANF-20.000000 | Taitien | OC | XO | 20 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCKTGLJANF-30.000000 | Taitien | OC | XO | 30 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCKTGLJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCKTGLJANF-31.250000 | Taitien | OC | XO | 31.25 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OCETDCJANF-12.000000 | Taitien | OC | XO | 12 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETDCJTNF-50.000000 | Taitien | OC | XO | 50 MHz | CMOS | 3.3V | ±25ppm |
| OCETGCJANF-33.333000 | Taitien | OC | XO | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-66.667000 | Taitien | OC | XO | 66.667 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJANF-27.000000 | Taitien | OC | XO | 27 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJANF-33.333000 | Taitien | OC | XO | 33.333 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-66.000000 | Taitien | OC | XO | 66 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCETGLJTNF-80.000000 | Taitien | OC | XO | 80 MHz | CMOS | 3.3V | ±50ppm |
| OCJTDCJANF-25.000000 | Taitien | OC | XO | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±25ppm |
| OCKTGLJANF-24.000000 | Taitien | OC | XO | 24 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXETGLJANF-12.000000 | Taitien | OX | XO | 12 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXETDLJANF-8.704000 | Taitien | OX | XO | 8.704 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| OXKTGCJANF-37.125000 | Taitien | OX | XO | 37.125 MHz | CMOS | 1.8V | ±50ppm |
| OXETCLJANF-26.000000 | Taitien | OX | XO | 26 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±20ppm |
| OXETDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±25ppm |
| OXETGLJANF-48.000000 | Taitien | OX | XO | 48 MHz | CMOS | 2.8V ~ 3.3V | ±50ppm |
| OXJTDLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±25ppm |
| OXJTGLJANF-25.000000 | Taitien | OX | XO | 25 MHz | CMOS | 2.5V | ±50ppm |
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此文關鍵字: TCXO溫補晶振
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